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IXFX12N90Q Spécifications techniques

MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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IXFX12N90Q fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXFX12N90Q prix de référence. IXFX12N90Q paramètres, IXFX12N90Q Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXFX12N90Q Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXFX12N90Q schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXFX12N90Q tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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