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IXFX26N100P Spécifications techniques

MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 780W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
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