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IXFX27N80Q Spécifications techniques
MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Supplier Device Package | PLUS247™-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
IXFX27N80Q Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXFX200N10P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2701 |
IXFX20N120 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2581 |
IXFX20N120P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5359 |
IXFX20N80Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2581 |
IXFX210N17T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2621 |
IXFX210N30X3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2708 |
IXFX21N100F | IXYS RF | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2888 |
IXFX21N100F | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2895 |
IXFX21N100Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2869 |
IXFX21N100Q MOSFETIGBTIC | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 762 |
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