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IXFX30N110P
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IXFX30N110P Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | PLUS247™-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1100V (1.1kV) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
Power Dissipation (Max) | 960W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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