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IXFY8N65X2 Spécifications techniques
MOSFET N-CH
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 26 Weeks |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4A, 10V |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 650V 8A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
IXFY8N65X2 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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