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IXTA18P10T Spécifications techniques

MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchP™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±15V
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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IXTA18P10T fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXTA18P10T prix de référence. IXTA18P10T paramètres, IXTA18P10T Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXTA18P10T Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXTA18P10T schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXTA18P10T tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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