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IXTA1R4N120P
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IXTA1R4N120P Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Supplier Device Package | TO-263 (IXTA) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 666pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Polar™ |
Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
IXTA1R4N120P Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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