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IXTA2N80 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 2A TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Power Dissipation (Max) 54W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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IXTA2N80 fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXTA2N80 prix de référence. IXTA2N80 paramètres, IXTA2N80 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXTA2N80 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXTA2N80 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXTA2N80 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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