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IXTA3N100D2HV Spécifications techniques

MOSFET N-CH

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 1.5A, 0V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Detailed Description N-Channel 1000V 3A (Tj) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263HV
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 5V
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tj)
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IXTA3N100D2HV fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXTA3N100D2HV prix de référence. IXTA3N100D2HV paramètres, IXTA3N100D2HV Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXTA3N100D2HV Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXTA3N100D2HV schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXTA3N100D2HV tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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