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IXTA8N65X2 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 4A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-263 |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXTA80N075L2 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2592 |
IXTA80N10 | IXYS | Circuits intégrés spécialisés | 2703 |
IXTA80N10T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3661 |
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IXTA80N12 | IXYS | Circuits intégrés spécialisés | 823 |
IXTA80N12T2 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2694 |
IXTA86N20T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2711 |
IXTA88N085T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2579 |
IXTA88N085T7 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2744 |
IXTA8N50P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2712 |
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