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IXTB30N100L
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IXTB30N100L Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | PLUS264™ |
Power Dissipation (Max) | 800W (Tc) |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 545nC @ 20V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 20V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13200pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
IXTB30N100L Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|
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