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IXTF6N200P3
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IXTF6N200P3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Polar™ |
Power Dissipation (Max) | 215W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 24 Weeks |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | ISOPLUS i4-PAC™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 Ohm @ 3A, 10V |
Package / Case | ISOPLUSi5-Pak™ |
Mounting Type | Through Hole |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 2000V 4A (Tc) 215W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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