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IXTH110N10L2 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 110A TO-247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Linear L2™
Power Dissipation (Max) 600W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging -
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
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