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IXTM50N20 Spécifications techniques
POWER MOSFET TO-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | GigaMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 200V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-204AE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 10V |
Package / Case | TO-204AE |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
IXTM50N20 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXTM5N100 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2618 |
IXTM5N100A | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2731 |
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