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IXTN21N100 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 500µA |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MegaMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A |
IXTN21N100 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXTN200N10L2 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2672 |
IXTN200N10T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2792 |
IXTN210P10T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2803 |
IXTN22N100L | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2793 |
IXTN240N075L2 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2726 |
IXTN24N100 | IXYS | Modules IGBT | 2789 |
IXTN24N50Q | IXYS | Modules IGBT | 2743 |
IXTN27N80 | IXYS | Modules IGBT | 2939 |
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