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IXTQ26P20P Spécifications techniques
MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-3P |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 13A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2740pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarP™ |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
IXTQ26P20P Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXTQ200N04T | IXYS | Circuits intégrés spécialisés | 378 |
IXTQ200N06P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5607 |
IXTQ200N075T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2762 |
IXTQ200N085T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2649 |
IXTQ200N10T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2694 |
IXTQ200N10T | IXYS | Transistors MOSFET simples | |
IXTQ200N10T IC | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 577 |
IXTQ220N055T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2731 |
IXTQ220N075T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2658 |
IXTQ22N50P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5375 |
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