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IXTT2N170D2 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 1A, 0V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3650pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tj)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-268
Power Dissipation (Max) 568W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V (1.7kV)
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