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IXTT3N200P3HV Spécifications techniques

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-268
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 2000V (2kV)
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IXTT3N200P3HV fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXTT3N200P3HV prix de référence. IXTT3N200P3HV paramètres, IXTT3N200P3HV Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXTT3N200P3HV Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXTT3N200P3HV schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXTT3N200P3HV tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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