IXTV102N20T Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package PLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchHV™
Power Dissipation (Max) 750W (Tc)
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 102A (Tc)
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