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IXTY01N100 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 Ohm @ 100mA, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 54pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252AA
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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