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MMIX1F180N25T
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MMIX1F180N25T Spécifications techniques
MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Supplier Device Package | SMPD |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 90A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ |
Power Dissipation (Max) | 570W (Tc) |
Package / Case | 24-PowerSMD, 21 Leads |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 364nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 132A (Tc) |
MMIX1F180N25T Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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