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VMO550-01F Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 110mA |
Supplier Device Package | Y3-DCB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 2200W (Tc) |
Package / Case | Y3-DCB |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2000nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 590A |
VMO550-01F Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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