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IXFH12N50F Spécifications techniques

MOSFET N-CH 500V 12A TO247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS RF
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerRF™
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 14 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247 (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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