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IXFH6N100F Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS RF |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerRF™ |
Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 14 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-247 (IXFH) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
IXFH6N100F Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXFH60N20 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6174 |
IXFH60N20F | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 2863 |
IXFH60N20F CMH82N25 | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 427 |
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IXFH60N50P3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 23321 |
IXFH60N50P3 | IXYS | Transistors MOSFET simples | |
IXFH60N50P3 IC | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 1913 |
IXFH60N60 | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 1 |
IXFH60N60X | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2549 |
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