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AUIRF1018ES Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Contact Plating | Lead, Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 110W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4m Ω @ 47A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 46 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 79A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0084Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 88 mJ |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 110W |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 79A Tc |
Rise Time | 35ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 55 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
AUIRF1018ES Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
AUIRF1010EZ | IR | Circuits intégrés spécialisés | 24880 |
AUIRF1010EZS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 50000 |
AUIRF1010EZSTRL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2635 |
AUIRF1010EZSTRL | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
AUIRF1010S | IR | Circuits intégrés spécialisés | 6300 |
AUIRF1010Z | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 18500 |
AUIRF1010Z | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
AUIRF1010ZL | IR | Circuits intégrés spécialisés | 9480 |
AUIRF1010ZS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 14325 |
AUIRF1010ZS | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples |
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