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AUIRF1324S Spécifications techniques

AUIRF1324S datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 39 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Tc
Rise Time 190ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 83 ns
Threshold Voltage 2V
Drain to Source Breakdown Voltage 24V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65m Ω @ 195A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7590pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 120 ns
Continuous Drain Current (ID) 195A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 270 mJ
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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