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AUIRF3205 Spécifications techniques
AUIRF3205 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8m Ω @ 62A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3247pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 146nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 65 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 75A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Height | 9.02mm |
Width | 4.83mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2011 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 200W Tc |
Power Dissipation | 200W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A Tc |
Rise Time | 101ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 50 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
AUIRF3205 Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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