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AUIRF3805 Spécifications techniques

AUIRF3805 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 3.3MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 150 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A Tc
Rise Time 20ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 93 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 890A
Height 16.51mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7960pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 87 ns
Continuous Drain Current (ID) 160A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Avalanche Energy Rating (Eas) 940 mJ
Length 10.66mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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