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AUIRF3805S-7P Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 6
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6m Ω @ 140A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7820pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 52 ns
Continuous Drain Current (ID) 240A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Height 4.55mm
Width 10.05mm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 23 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A Tc
Rise Time 130ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 80 ns
Threshold Voltage 2V
Drain-source On Resistance-Max 0.0026Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 680 mJ
Length 10.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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