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AUIRF7313QTR Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
Part Status Active
Number of Terminations 8
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Power Dissipation 2.4W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29m Ω @ 6.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 755pF @ 25V
Rise Time 7.3ns
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 450 mJ
FET Feature Logic Level Gate
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2.4W
Reference Standard AEC-Q101
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 21 ns
Threshold Voltage 3V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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