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AUIRF7379QTR Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Max Power Dissipation 2.5W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45m Ω @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 4.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 1 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2.5W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A 4.3A
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Threshold Voltage 1V
Drain-source On Resistance-Max 0.045Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 46A
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
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