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AUIRFB3207 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 29 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 120ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 68 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Height 16.51mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 74 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0045Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 720A
Length 10.66mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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