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AUIRFP1405 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Additional Feature AVALANCHE RATED
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 310W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3m Ω @ 95A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 150 ns
Continuous Drain Current (ID) 95A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 640A
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 310W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 95A Tc
Rise Time 160ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 140 ns
JEDEC-95 Code TO-247AC
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Height 20.7mm
Width 5.31mm
REACH SVHC No SVHC
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