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AUIRFR2607ZTRL
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AUIRFR2607ZTRL Spécifications techniques
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Additional Feature | ULTRA LOW RESISTANCE |
Terminal Position | SINGLE |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 110W Tc |
Power Dissipation | 110W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A Tc |
Rise Time | 59ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 39 ns |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain-source On Resistance-Max | 0.022Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 180A |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 28 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 42A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 96 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Feuilles de données
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