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AUIRFR2905ZTRL Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 66ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 42A
Drain-source On Resistance-Max 0.0145Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 240A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 2
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 110W Tc
Power Dissipation 110W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5m Ω @ 36A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 35 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Avalanche Energy Rating (Eas) 55 mJ
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