AUIRFR48Z Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Resistance 11MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 91W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 61ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 250A
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 91W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11m Ω @ 37A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1720pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 35 ns
Continuous Drain Current (ID) 42A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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