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AUIRFS8403 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 99W Tc
Power Dissipation 99W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 123A Tc
Rise Time 77ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 43 ns
Continuous Drain Current (ID) 123A
Input Capacitance 3.183nF
Rds On Max 3.3 mΩ
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Discontinued
Max Operating Temperature 175°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 70A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3183pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Resistance 2.6mOhm
Nominal Vgs 3 V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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