AUIRGB4062D1 Spécifications techniques

IGBT 600V 59A 246W TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 246W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.77V
Reverse Recovery Time 102 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.57V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.77V @ 15V, 24A
Gate Charge 77nC
Td (on/off) @ 25°C 19ns/90ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 40ns
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Rise Time-Max 41ns
Power Dissipation 246W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 59A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 24A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 72A
Switching Energy 532μJ (on), 311μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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