AUIRLR120N Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 48W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 10A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.225Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 85 mJ
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 48W
Turn On Delay Time 4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Tc
Rise Time 35ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 23 ns
Threshold Voltage 1V
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Nominal Vgs 1 V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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