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AUIRLR120NTRL Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 48W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±16V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 10A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 35A
Avalanche Energy Rating (Eas) 85 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2015
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.225Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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