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BCP5216E6327HTSA1
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BCP5216E6327HTSA1 Spécifications techniques
Trans GP BJT PNP 60V 1A T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2011 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transition Frequency | 125MHz |
Power Dissipation-Max (Abs) | 2W |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 4 |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | compliant |
Base Part Number | BCP52 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G4 |
Configuration | SINGLE |
Power - Max | 2W |
Polarity/Channel Type | PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Frequency - Transition | 125MHz |
RoHS Status | RoHS Compliant |
BCP5216E6327HTSA1 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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BCP52 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 1270 |
BCP52 | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
BCP52 ,135 | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 6370 |
BCP52 MOS | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 638 |
BCP52,135 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 18000 |
BCP52,135 | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT simples | |
BCP52-10 | INF/NXP | Circuits intégrés spécialisés | 52015 |
BCP52-10,135 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2599 |
BCP52-10,135 | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT simples |
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