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BCR135SE6327BTSA1
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BCR135SE6327BTSA1 Spécifications techniques
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
Max Power Dissipation | 250mW |
Power - Max | 250mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA 5V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Published | 2011 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Base Part Number | BCR135S |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 150MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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BCR133E | Infineon | Circuits intégrés spécialisés | 3256 |
BCR133E6327 | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 2301 |
BCR133E6327HTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 30237 |
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Transistors BJT pré-polarisés | |
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