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BCR169E6327HTSA1
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BCR169E6327HTSA1 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -65°C |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
Base Part Number | BCR169 |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Frequency - Transition | 200MHz |
Resistor - Base (R1) | 4.7 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2007 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | -100mA |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Halogen Free | Not Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Transition Frequency | 200MHz |
hFE Min | 120 |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
BCR169E6327HTSA1 Documents
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Feuilles de données
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---|---|---|---|
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BCR162E6327HTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2556 |
BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Transistors BJT pré-polarisés | |
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