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BCR198WE6327BTSA1
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BCR198WE6327BTSA1 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
Max Power Dissipation | 250mW |
Power - Max | 250mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 190MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
Published | 2011 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Base Part Number | BCR198 |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Feuilles de données
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