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BCR198WH6327XTSA1
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BCR198WH6327XTSA1 Spécifications techniques
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -65°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Terminal Position | DUAL |
Base Part Number | BCR198 |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 300mV |
hFE Min | 70 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
Length | 2mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2009 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 250mW |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Transition Frequency | 190MHz |
Frequency - Transition | 190MHz |
Resistor - Base (R1) | 47 k Ω |
Height | 800μm |
Width | 1.25mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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