BCR523E6327HTSA1 Spécifications techniques

BCR523E6327HTSA1 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2002
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Polarity NPN
Power Dissipation 330mW
Halogen Free Not Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 70
Resistor - Base (R1) 1 k Ω
Height 1.1mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -65°C
Max Power Dissipation 330mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 500mA
Base Part Number BCR523
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 300mV
Frequency - Transition 100MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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