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BCW68GE6327HTSA1
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BCW68GE6327HTSA1 Spécifications techniques
BCW68GE6327HTSA1 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Voltage - Rated DC | -45V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | -800mA |
Base Part Number | BCW68 |
Element Configuration | Single |
Halogen Free | Not Halogen Free |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 800mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 700mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 45V |
Height | 900μm |
Width | 1.3mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 330mW |
Terminal Form | GULL WING |
Frequency | 200MHz |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 330mW |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 700mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Transition Frequency | 200MHz |
Max Breakdown Voltage | 45V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 2V |
Length | 2.9mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
BCW68GE6327HTSA1 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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BCW68 E637 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 33610 |
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BCW68E-6442 | SIEMENS | Circuits intégrés spécialisés | 14000 |
BCW68E6359 | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 46664 |
BCW68E6359HTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2500 |
BCW68E6422 | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 14102 |
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