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BDP954H6327XTSA1
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BDP954H6327XTSA1 Spécifications techniques
BDP954H6327XTSA1 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2011 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Frequency | 100MHz |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 500mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 500mA 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Collector Emitter Saturation Voltage | 500mV |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Length | 6.5mm |
Radiation Hardening | No |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 4 |
Max Power Dissipation | 5W |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 5W |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 3A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 100V |
Transition Frequency | 100MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 120V |
Height | 1.6mm |
Width | 3.5mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BDP954H6327XTSA1 Documents
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Feuilles de données
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