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BFP540ESDH6327XTSA1 Spécifications techniques

TRANS RF NPN 4.5V 80MA SOT343

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors RF BJT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-82A, SOT-343
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 250mW
Terminal Form GULL WING
Frequency 30GHz
Base Part Number BFP540
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA 3.5V
Gain 21.5dB
Max Breakdown Voltage 5V
Emitter Base Voltage (VEBO) 1V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2003
Part Status Active
Number of Terminations 4
Additional Feature HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation 250mW
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type NPN
Max Collector Current 80mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 5V
Transition Frequency 30000MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 10V
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Lead Free Lead Free
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