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BFP640H6327XTSA1 Spécifications techniques

Trans GP BJT NPN 4V 0.05A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors RF BJT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2005
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Frequency 40GHz
Base Part Number BFP640
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 30mA 3V
Gain 12.5dB
Transition Frequency 40000MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 13V
Collector-Base Capacitance-Max 0.2pF
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-82A, SOT-343
Transistor Element Material SILICON GERMANIUM
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation 200mW
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.5V
Max Breakdown Voltage 4.5V
Emitter Base Voltage (VEBO) 1.2V
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
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